參數(shù)資料
型號： SMCJ26A-TR
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 125K
代理商： SMCJ26A-TR
Characteristics
SMCJ
2/10
Doc ID 5617 Rev 8
1
Characteristics
Figure 1.
Electrical characteristics - definitions
Figure 2.
Pulse definition for electrical characteristics
Table 1.
Absolute maximum ratings (Tamb = 25 °C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
PPP
Peak pulse power dissipation (1)
Tj initial = Tamb
1500
W
Tstg
Storage temperature range
-65 to +150
° C
Tj
Operating junction temperature range
-55 to +150
° C
TL
Maximum lead temperature for soldering during 10 s.
260
° C
1.
For a surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit.
Table 2.
Thermal resistances
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-l)
Junction to leads
15
° C/W
Rth(j-a)
Junction to ambient on printed circuit on recommended pad layout
90
° C/W
V
CLVBR VRM
I
RM
I
R
I
PP
V
I
RM
I
R
I
PP
V
RMVBR VCL
V
CLVBR VRM
I
RM
I
R
I
PP
V
I
RM
I
R
I
PP
V
RMVBR VCL
V
CL VBR VRM
I
RM
I
R
I
PP
V
I
F
V
F
V
CL VBR VRM
I
RM
I
R
I
PP
V
I
F
V
F
Unidirectional
Bidirectional
Symbol Parameter
V
Stand-off voltage
V
Breakdown voltage
V
Clamping voltage
I
Leakage current @ V
I
Peak pulse current
T
Voltage temperature coefficient
V
Forward voltage drop
R
Dynamic resistance
RM
BR
CL
RM
PP
F
D
α
Repetitive pulse current
tr = rise time (s)
tp = pulse duration time (s)
tr
tp
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMCJ90C 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
SMD110PL-TP 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SMDA03-LF-T13 500 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
SMDA03C-LF-T7 500 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
SMDA05C-LF-T13 500 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SMCJ26C/59T 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 26V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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