型號: | SMBJP6KE75CA |
廠商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封裝: | SMBJ, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 1492K |
代理商: | SMBJP6KE75CA |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SMAJP4KE550CA | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJP4KE8.2CA | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SBYV28-200E3 | 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
SS24-HE3 | 2 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
SS26-HE3 | 2 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBJP6KE75CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 103V 600W 5.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJP6KE8.2A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 12.1V 600W 50.4A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJP6KE8.2CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 12.1V 600W 50.4A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJP6KE82A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 113V 600W 5.4A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJP6KE82CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 113V 600W 5.4A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |