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參數(shù)資料
| 型號： | SMBJ8.5C |
| 廠商： | Littelfuse, Inc. |
| 英文描述： | Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors |
| 中文描述： | 硅雪崩二極管- 600W表面貼裝瞬態(tài)電壓抑制器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 5K |
| 代理商： | SMBJ8.5C |
http://www.alldatasheet.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ85C | Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors |
| SMBJ85CA | CMOS Dual 4-Bit Latch 24-SOIC -55 to 125 |
| SMBJ8.0C | CMOS Strobed Hex Inverter/Buffer with 3-State Outputs 16-PDIP -55 to 125 |
| SMBJ8.5CA | CMOS Hex Non-Inverting Buffer with 3-State Outputs 16-SO -55 to 125 |
| SMBJ85 | Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBJ85C/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ85C/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ85C/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ85C/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ85CA | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 85Vr 600W 4.4A 5% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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