- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄40276 > SMBJ75A 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SMBJ75A |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | SMBJ75A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBG100 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ110A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ60A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ170 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBG100A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBJ75A R4 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 75V 600W 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ75A/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ75A/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ75A/2B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ75A/5 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。