型號: | SMBJ7.5CT3 |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 41K |
代理商: | SMBJ7.5CT3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBJ13T3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ5.0T3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ7.5AT3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ7.5T1 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ75AT3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
SMBJ75-E3/51 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75-E3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75-E3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75-E3/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75E3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:600W, STAND-OFF VOLTAGE = 75V, ? 10%, UNI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 75VWM 134VC SMBJ |