型號: | SMBJ7.0HE3/52 |
廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 3/6頁 |
文件大?。?/td> | 105K |
代理商: | SMBJ7.0HE3/52 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SMB10J9.0HE3/5B | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMB8J15CHE3/52 | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMB8J24CAHE3/5B | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMB8J8.0CHE3/5B | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SF28-AP | 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBJ75 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 75Vr 600W 5A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75/5 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ75/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |