型號(hào): | SMBJ48CAT1 |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
文件頁(yè)數(shù): | 2/2頁(yè) |
文件大?。?/td> | 41K |
代理商: | SMBJ48CAT1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBJ8.5T1 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ150AT1 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ60T3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ10CAT3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ160CAT3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBJ48CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 48V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ48CA-TR | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 48V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ48CE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 48V 600W 2PIN DO-214AA - Bulk |
SMBJ48C-E3/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 48V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ48C-E3/2C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 48V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |