型號: | SMBJ3EZ91D3 |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | 齊納二極管 |
英文描述: | 91 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁數: | 3/3頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
代理商: | SMBJ3EZ91D3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBG3EZ10D4 | 10 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
SMBG3EZ11D2 | 11 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
SMBG3EZ180D2 | 180 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
SMBG3EZ190D10TR | 190 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
SMBG3EZ190D | 190 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
SMBJ3V3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 3.3V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ3V3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 3.3V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ3V3/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 3.3V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ3V3-E3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 3.3V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ3V3-E3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 3.3V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |