型號: | SMBJ3EZ4.7D4 |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | 齊納二極管 |
英文描述: | 4.7 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁數: | 1/3頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
代理商: | SMBJ3EZ4.7D4 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBJ3EZ43D1TR | 43 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
SMBJ3EZ47D1 | 47 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
SMBJ3EZ5.6D1 | 5.6 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
SMBJ3EZ68D10TR | 68 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
SMBJ3EZ7.5D3 | 7.5 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SMBJ3V3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 3.3V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ3V3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 3.3V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ3V3/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 3.3V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ3V3-E3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 3.3V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ3V3-E3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 3.3V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |