型號(hào): | SMBJ3EZ30D1 |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | 齊納二極管 |
英文描述: | 30 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁(yè)數(shù): | 3/3頁(yè) |
文件大小: | 0K |
代理商: | SMBJ3EZ30D1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBJ3EZ30D4TR | 30 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
SMBJ3EZ30DTR | 30 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
SMBJ3EZ33D10TR | 33 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
SMBJ3EZ33D2TR | 33 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBJ3V3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 3.3V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ3V3/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 3.3V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ3V3-E3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 3.3V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ3V3-E3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 3.3V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |