參數(shù)資料
型號(hào)： SMBJ36ATR
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： SMBJ36ATR
SMBJ5.0 thru SMBJ188CA
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88392
Revision: 04-Sep-07
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5
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 5. Typical Transient Thermal Impedance
0.1
1.0
10
100
0.001
0.01
0.1
100
1.0
10
1000
tp - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
Figure 6. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
10
200
100
10
1
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Uni-Directional Only
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
DO-214AA (SMB-J-Bend)
Mounting Pad Layout
0.160 (4.06)
0.180 (4.57)
0.006 (0.152)
0.012 (0.305)
0.030 (0.76)
0.060 (1.52)
0.205 (5.21)
0.220 (5.59)
0 (0)
0.008 (0.2)
0.130 (3.30)
0.155 (3.94)
0.084 (2.13)
0.096 (2.44)
0.077 (1.95)
0.086 (2.20)
Cathode Band
0.085 (2.159)
MAX.
0.220 REF.
0.086 (2.18)
MIN.
0.060 (1.52)
MIN.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMBT2222E6433 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
SMBT3904E6327 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
SMBT4124E6327 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
SMBT4124E6327 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
SMBT5086E6327 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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SMBJ36C/1 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 36V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ36C/2 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 36V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ36C/2B 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 36V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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