型號: | SMBJ33CAE3 |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大?。?/td> | 182K |
代理商: | SMBJ33CAE3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBJ48AE3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ51AE3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ7.5E3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ78E3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ90AE3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
SMBJ33CA-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Bidirectional 600W TVS diode,SMBJ33CA |
SMBJ33CA-E3/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 33V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ33CA-E3/2C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 33V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ33CA-E3/51 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 33V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ33CA-E3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 33V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |