型號: | SMBJ30CAT1 |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大小: | 41K |
代理商: | SMBJ30CAT1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBJ45AT3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ11AT1 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ15CT1 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ20CT3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ22T1 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBj30CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 30V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ30CA-TR | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ30CE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 30V 600W 2PIN DO-214AA - Bulk |
SMBJ30C-E3/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ30C-E3/2C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |