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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SMBJ30C |
| 元件分類(lèi)： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 266K |
| 代理商： | SMBJ30C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ45A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ8.0A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMCJ11CA | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMCJ5.0CA | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMCJ75A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBJ30C/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ30C/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ30C/2B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ30C/5 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ30C/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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