參數(shù)資料
型號： SMBJ170A-TR
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 127K
代理商： SMBJ170A-TR
Characteristics
SMBJ
4/10
Doc ID 5616 Rev 10
Figure 5.
Clamping voltage versus peak pulse current (exponential waveform, maximum values)
Figure 3.
Peak pulse power dissipation
versus initial junction temperature
Figure 4.
Peak pulse power versus
exponential pulse duration
(Tj initial = 25 °C)
0
100
200
300
400
500
600
700
0
25
50
75
100
125
150
175
P
pp (W)
Tj(°C)
0.1
1.0
10.0
100.0
1.0E-03
1.0E-021.0E-011.0E+00
1.0E+01
P
PP(kW)
T
j initial = 25 °C
tP(ms)
IPP(A )
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
1
10
100
1000
10/1000 s
Tj initial=25 °C
8/20 s
10 ms
SM
BJ
5
.0
A
SM
BJ
1
8
A
SM
BJ
1
2
A
SM
BJ
2
4
A
SM
BJ
4
0
A
SM
BJ
8
5
A
SM
BJ
5
.0
A
SM
BJ
1
8
A
SM
BJ
1
2
A
SM
BJ
2
4
A
SM
BJ
4
0
A
SM
BJ
8
5
A
V CL(V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMBJ26CA-TR 4000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ100A-TR 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
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SMBJ48CA-TR 4000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
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參數(shù)描述
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SMBJ170C/2 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 170V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ170C/2B 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 170V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ170C/52 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 170V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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