相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBG90A/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG8.5A/5B-E3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG85/51-E3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG78C/5B-E3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG20CA/52-E3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBG85CA-E3/51 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG85CA-E3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG85CA-E3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG85CA-E3/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG85CAHE3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |