型號: | SMBG43CATR |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大?。?/td> | 182K |
代理商: | SMBG43CATR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBG45CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG8.5CATR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG90CATR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBJ43CATR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBG20AE3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBG43C-E3/51 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 43V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG43C-E3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 43V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG43C-E3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 43V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG43C-E3/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 43V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG43CHE3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 43V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |