型號: | SMBG28CAE3TR |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 182K |
代理商: | SMBG28CAE3TR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBG5.0CAE3TR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG7.0CAE3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG85CE3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBJ130AE3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ20CAE3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
SMBG28CAHE3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 28V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG28CAHE3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 28V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG28CAHE3/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 28V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG30 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
SMBG30/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |