型號: | SMBG26A-HE3/52 |
廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN |
文件頁數: | 3/6頁 |
文件大小: | 97K |
代理商: | SMBG26A-HE3/52 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBG26CA-HE3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG26CA-HE3/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG28A-HE3/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG28C-HE3/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG30-HE3/5B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SMBG26C/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 26V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG26C/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 26V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG26C/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 26V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG26C/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 26V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG26CA/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 26V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |