型號(hào): | SMBG24C |
廠商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 75K |
代理商: | SMBG24C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBG60A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG78A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBJ17 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ5.0 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ64A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBG24C/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 24V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG24C/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 24V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG24C/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 24V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG24C/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 24V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG24C/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 24V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |