參數(shù)資料
型號: SMBG13
廠商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類: TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述: 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
封裝: SMBG, 2 PIN
文件頁數(shù): 6/6頁
文件大小: 1565K
代理商: SMBG13
www.mccsemi.com
MCC
Peak Pulse Power (PPP) – Kilowatts versus
Pulse Width (TW) - Microseconds
Figure 4
Peak Pulse Power versus Pulse Width
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTIC
CURVE SMBG SERIES
Revision: 3
2003/04/30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMBG14 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG17 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG18 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG45P 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG20A 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SMBG13/1 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 13V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG13/52 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 13V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG13/55 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 13V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG13/5B 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 13V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG130 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:SURFACE MOUNT TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR