參數(shù)資料
型號: SMBG130P
廠商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類: TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述: 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
封裝: SMBG, 2 PIN
文件頁數(shù): 6/6頁
文件大?。?/td> 1565K
代理商: SMBG130P
www.mccsemi.com
MCC
Peak Pulse Power (PPP) – Kilowatts versus
Pulse Width (TW) - Microseconds
Figure 4
Peak Pulse Power versus Pulse Width
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTIC
CURVE SMBG SERIES
Revision: 3
2003/04/30
相關PDF資料
PDF描述
SMBG11P 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG40P 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG110AP 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG20AP 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG75P 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SMBG13A 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount TRANSZORB? Transient Voltage Suppressors
SMBG13A/2 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 13V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG13A/5 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 13V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG13A/52 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 13V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG13A/54 功能描述:TVS 600W 13V UNI-DIR DO-215AA RoHS:否 類別:過電壓,電流,溫度裝置 >> TVS - 二極管 系列:TransZorb® 標準包裝:750 系列:TransZorb® 電壓 - 反向隔離(標準值):48V 電壓 - 擊穿:53.3V 功率(瓦特):600W 電極標記:單向 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-215AA,SMB 鷗翼型 供應商設備封裝:DO-215AA 包裝:帶卷 (TR)