型號: | SMBG130ATR |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大小: | 182K |
代理商: | SMBG130ATR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBG14ATR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG15TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG170ATR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG18ATR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG20ATR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBG13A | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount TRANSZORB? Transient Voltage Suppressors |
SMBG13A/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 13V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG13A/5 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 13V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG13A/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 13V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG13A/54 | 功能描述:TVS 600W 13V UNI-DIR DO-215AA RoHS:否 類別:過電壓,電流,溫度裝置 >> TVS - 二極管 系列:TransZorb® 標準包裝:750 系列:TransZorb® 電壓 - 反向隔離(標準值):48V 電壓 - 擊穿:53.3V 功率(瓦特):600W 電極標記:單向 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-215AA,SMB 鷗翼型 供應商設備封裝:DO-215AA 包裝:帶卷 (TR) |