| 型號: | SMBG120C-HE3/5B |
| 廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN |
| 文件頁數(shù): | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商: | SMBG120C-HE3/5B |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBG13A-HE3/5B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG150C-HE3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG7.0-HE3/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG78A-HE3/5B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG100-TP | TVS DIODE, DO-215AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBG12A | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT 600 Watt Transient Voltage Suppressor |
| SMBG12A/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 12V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG12A/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 12V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG12A/2B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 12V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG12A/5 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 12V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |