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參數(shù)資料
| 型號： | SMBG120 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | SMBG120 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ130A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ75CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMDA12C | 300 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| SMDA24 | 300 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| SMPT-18C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBG120A | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount TRANSZORB? Transient Voltage Suppressors |
| SMBG120A/5 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 120V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG120A/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 120V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG120A/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 120V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG120A/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 120V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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