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參數(shù)資料
| 型號： | SMBG110A |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | SMBG110A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| SMBG170A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
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| SMBG100 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| SMBG110A/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 110V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG110A/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 110V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG110A/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 110V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG11A | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMBG11A/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 11V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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