型號(hào): | SMBG100CATR |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大小: | 182K |
代理商: | SMBG100CATR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBG120CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG12CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG13CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG150CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG15CATR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBG100-E3/51 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG100-E3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG100-E3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG100-E3/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG100HE3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 100V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |