型號: | SMB10J6.5AHE3/5B |
廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 2/6頁 |
文件大?。?/td> | 103K |
代理商: | SMB10J6.5AHE3/5B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SMB8J9.0CAHE3/52 | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SHD114523 | 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
S5JHE3/57T | 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
SB1220-AP | 12 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
SS10P5-M3/86A | 7 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMB10J7.0 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:High Power Density Surface Mount TRANSZORB? Transient Voltage Suppressors |
SMB10J7.0/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1KW 7.0V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMB10J7.0/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1KW 7.0V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMB10J7.0/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1KW 7.0V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMB10J7.0A | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:High Power Density Surface Mount TRANSZORB? Transient Voltage Suppressors |