參數(shù)資料
型號： SMAJ85AE3
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMAJ, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 207K
代理商： SMAJ85AE3
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2009
4-14-2009 REV K
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
SMAJ5.0 thru SMAJ170CA, e3
SURFACE MOUNT 500 Watt
Transient Voltage Suppressor
S C O T TS DALE DIVISION
GRAPHS
tw Microseconds
FIGURE 1
Peak Pulse Power (PPP) – Kilowatts versus
Pulse Width (tw) - Microseconds
C
–
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
SMAJ5.0–1
70CA,
e
3
FIGURE 2
Lead or Ambient Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Power
in
P
ercent
of
25
o C
Rating
Pulse Waveform for Exponential Surge
FIGURE 3
FIGURE 4
Derating Curve
Typical Capacitance vs. Breakdown Voltage
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MQSMBG5913BE3 3.3 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA
MQSMBG5914BE3 3.6 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA
MQSMBG5914CE3 3.6 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA
MQSMBG5915BE3 3.9 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA
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參數(shù)描述
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SMAJ85A-E3/51 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 400W 85V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMAJ85A-E3/5A 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 400W 85V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMAJ85A-E3/61 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 400W 85V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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