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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SMA6J10CA-TR |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | High junction temperature Transil TM |
| 中文描述： | 高結(jié)溫Transil商標(biāo) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | SMA6J10CA-TR |
SMA6J
Characteristics
5/10
Junction capacitance versus
reverse applied voltage (typical
values) (SMA6JxxA)
Peak forward voltage drop versus
peak forward current (typical
values)
Figure 8.
Figure 4.
Figure 5.
Junction capacitance versus
reverse applied voltage (typical
values) (SMA6JxxCA)
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
=30mV
T=25°C
j
V
OSC
RMS
V (V)
SMA6J5.0A
SMA6J13A
SMA6J26A
SMA6J58A
SMA6J188A
1
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
=30mV
T=25°C
j
V
OSC
RMS
V (V)
SMA6J5.0CA
SMA6J13CA
SMA6J26CA
SMA6J58CA
SMA6J188CA
Figure 6.
Figure 7.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration (printed
ciruit board FR4, S
Cu
= 1 cm
2
)
Z
th(j-a)
/R
th(j-a)
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under each lead (printed circuit
board FR4, e
Cu
= 35 μm)
R
th(j-a)
(°C/W)
Figure 9.
Leakage current versus junction
temperature (typical values)
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T=25°C
T=125°C
j
0.01
0.10
1.00
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
t (S)
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
S
(cm )
CU
2
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
25
50
75
100
125
150
175
I (nA)
T (°C)
V =
R
V
RM
V
11.7V
BR
≤
V
11.7V
BR
>
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMA6J12A-TR | High junction temperature Transil TM |
| SMA6J12CA-TR | High junction temperature Transil TM |
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