型號: | SM8S17A-2D |
廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-1 |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 89K |
代理商: | SM8S17A-2D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SM8S36-2D | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM8S33 | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM8S33-2D | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
SM8S40A | 5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SM8S17A-E3/2D | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 8W 17V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SM8S17AHE3/2D | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 8.0W 17V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SM8S17-E3/2D | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 8W 17V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SM8S17HE3/2D | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 8.0W 17V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SM8S18 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount PAR Transient Voltage Suppressors |