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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SM6HT43A |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | HIGH TEMPERATURE TRANSILTM FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS |
| 中文描述： | 高溫TRANSILTM為汽車應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | SM6HT43A |
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
Zth(j-a)(°C/W)
tp(s)
Fig. 6:
Variation of thermal impedance junction to
ambient versus pulse duration (Printed circuit
board FR4 with recommended pad layout).
0
1
2
3
4
5
40
50
60
70
80
90
100
Rth(j-a) (°C/W)
S(cm2)
Fig. 7:
Thermal resistance junction to ambient ver-
sus copper surface under each lead (printed circuit
board FR4, e(Cu)=35
μ
m).
25
50
75
100
125
150
175
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
1E+4
IR(μA)
Tj(°C)
Fig .8:
Variation of leakage current versus junction
temperature (typical values).
SM6HTxxA
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SM703 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| SM706 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| SM724 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| SM746 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| SMA11-2 | Cascadable Amplifier 5 to 1000 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SM6HTXXA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH TEMPERATURE TRANSILTM FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS |
| SM6J45 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE |
| SM6J45A | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE |
| SM6J45A(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Thyristor TRIAC 600V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| SM6J48 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:AC POWER CONTROL APPLICATIONS |
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