
SL2524
3
Supply current
Small signal gain (dual stage,
single ended)
Detected output current (max)
Detected output current
(no signal)
Upper cut off frequency (RF)
Lower cut off frequency (RF)
Detector cut off frequency
Limited IF O/P voltage
Phase variation with input level
(normalised to -30dBm)
Limited O/P var with temp.
Noise figure
Max I/P before overload
Input impedance
Output impedance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - SL2524B
Guaranteed at the following test conditions unless otherwise stated
Frequency = 200MHz, T
amb
= +25
°
C, Input power = -30dBm, V
CC
= 6V
±
0.1V, Source Impedance = 50
.
Load impedance = 50
, Test Circuit = Fig. 4, R
SET
= 300
. Tested as a dual stage.
mA
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
mV
Degree
Degree
mV
dB
dBm
k
Typ
87
11.4
11.6
11.3
11.0
11.2
10.7
9.7
3.45
3.25
3.30
3.30
3.10
3.15
3.10
0.95
0.93
0.90
1100
1100
800
0.35
700
155
0
±
2.0
-4.0
±
2.0
±
12
14
15
1
50
Min
70
9.6
10.1
9.9
9.5
9.7
9.3
8.2
3.20
3.05
3.15
3.10
2.80
2.90
2.85
0.85
0.80
0.80
600
900
600
135
Max
100
13.0
13.1
12.7
12.5
12.7
12.1
11.2
3.70
3.45
3.45
3.50
3.30
3.45
3.65
1.15
1.10
1.10
1
175
0
±
3.0
-4.0
±
3.0
±
25
Value
Units
Conditions
Characteristic
T
amb
= +25
°
C f = 25MHz See Notes 1, 3
T
amb
= -40
°
C f = 200MHz See Notes 2, 3
T
amb
= +25
°
C f = 200MHz See Note 3
T
amb
= +85
°
C f = 200MHz See Notes 2, 3
T
amb
= -40
°
C f = 500MHz See Notes 2, 3
T
amb
= +25
°
C f = 500MHz See Note 3
T
amb
= +85
°
C f = 500MHz See Notes 2, 3
T
amb
= +25
°
C, V
IN
= 0dBm, f = 25MHz
See Note 1
T
amb
= -40
°
C, V
IN
= 0dBm, f = 200MHz
See Note 2
T
amb
= +25
°
C, V
IN
= 0dBm, f = 200MHz
T
amb
= +85
°
C, V
IN
= 0dBm, f = 200MHz
See Note 2
T
amb
= -40
°
C, V
IN
= 0dBm, f = 500MHz
See Note 2
T
amb
= +25
°
C, V
IN
= 0dBm, f = 500MHz
T
amb
= +85
°
C, V
IN
= 0dBm, f = 500MHz
See Note 2
T
amb
= -40
°
C, See Note 2
T
amb
= +25
°
C, See Note 2
T
amb
= +85
°
C, See Note 2
-3dB w.r.t 200MHz, T
amb
= -40
°
C
See Note 2
-3dB w.r.t 200MHz, T
amb
= +25
°
C
-3dB w.r.t 200MHz, T
amb
= +85
°
C
See Note 2
-3dB w.r.t 200MHz, T
amb
= +25
°
C
50% O/P current w.r.t. 200MHz
I/P power = 0dBm, T
amb
= +25
°
C
Frequency = 70MHz, -55 to +3dBm
See Note 2
Frequency = 200MHz, -55 to +3dBm
See Note 2
See Note 1
1k
in parallel with 2pF
NOTES
1.
2.
3.
Parameter guaranteed but not tested
Tested at 25
°
C only, but guaranteed at temperature
Gain will typically increase by 6dB, when RF outputs use 1k
loads in place of 50