參數(shù)資料
型號： SL24-MH
廠商： 美麗微半導(dǎo)體有限公司
英文描述： Low VF Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
中文描述： 低VF肖特基二極管芯片-硅外延式龍門
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 78K
代理商： SL24-MH
SL22-MH THRU SL24-MH
(V)
(V)
(V)
(V)
(
o
C)
SL22-MH
SL22
20
14
20
0.38
SL23-MH
SL23
30
21
30
0.40
SL24-MH
SL24
40
28
40
0.40
SYMBOLS
MARKING
CODE
-55 to +125
Operating
temperature
V
RRM
*1
V
RMS
*2
V
R
*3
V
F
*4
MAXIMUM RATINGS
(AT T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
CONDITIONS
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Forward rectified current
See Fig.2
I
O
2.0
A
Forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rate load (JEDEC methode)
I
FSM
40
A
V
R
= V
RRM
T
A
= 25
o
C
1.0
mA
V
R
= V
RRM
T
A
= 100
o
C
10
mA
Thermal resistance
Junction to ambient
R
q
JA
70
o
C / w
Diode junction capacitance
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage
C
J
160
pF
Storage temperature
T
STG
-55
+150
o
C
Reverse current
I
R
*1 Repetitive peak reverse voltage
*2 RMS voltage
*3 Continuous reverse voltage
*4 Maximum forward voltage
Silicon epitaxial planer type
Formosa MS
Low VF Chip Schottky Barrier Diodes
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O Utilizing Flame
Retardant Epoxy Molding Compound.
For surface mounted applications.
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /
228
Low leakage current.
Mechanical data
Case : Molded plastic, JEDECSOD-123H
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity : Indicated by cathode band
Mounting Position : Any
Weight : 0.0393 gram
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012(0.3) Typ.
0.071(1.8)
0.055(1.4)
0.035(0.9)
0.028(0.7)
0.031(0.8) Typ.
Dimensions in inches and (millimeters)
SOD-123H
0.031(0.8) Typ.
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PDF描述
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