參數(shù)資料
型號(hào)： SKM600GAL126D
廠商： SEMIKRON INTERNATIONAL
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Trench IGBT Module
中文描述： 660 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： CASE D 57, SEMITRANS 3, 5 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 677K
代理商： SKM600GAL126D
SEMITRANS
3
Trench IGBT Module
SKM 600GB126D
SKM 600GAL126D
Preliminary Data
Features
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SKM 600GB126D ...
1
11-09-2006 SEN
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SKM600GB126D Trench IGBT Module
SKM75GA163D SEMITRANS IGBT Modules New Range
SKM100GA123D SEMITRANS IGBT Modules New Range
SKM100GA163D SEMITRANS IGBT Modules New Range
SKM100GAL123D SEMITRANS IGBT Modules New Range
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參數(shù)描述
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SKM600GB126D 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT MODULE DUAL 1200V 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT MODULE, 1.2KV, 660A, SEMITRANS 3; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:660A; Collector Emitter Voltage Vces:2.15V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Min:-40C; No. of Pins:7 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:SEMIKRON 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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