參數(shù)資料
型號(hào)： SKB02N120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速S-IGBT)
中文描述： 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù)（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT的）
文件頁(yè)數(shù)： 1/13頁(yè)
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代理商： SKB02N120
Preliminary
SKP02N120
SKB02N120
Power Semiconductors
1
Mar-00
Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
G
C
E
40% lower
E
off
compared to previous generation
Short circuit withstand time – 10
μ
s
Designed for:
- Motor controls
- Inverter
- SMPS
NPT-Technology offers:
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behaviour
- parallel switching capability
Type
V
CE
I
C
E
off
T
j
Package
Ordering Code
SKP02N120
1200V
2A
0.11mJ
150
°
C
TO-220AB
Q67040-S4278
SKB02N120
TO-263AB(D2PAK)
Q67040-S4279
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-emitter voltage
DC collector current
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
Pulsed collector current,
t
p
limited by
T
jmax
Turn off safe operating area
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150
°
C
Diode forward current
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
Diode pulsed current,
t
p
limited by
T
jmax
Gate-emitter voltage
Short circuit withstand time
1)
V
GE
= 15V, 100V
≤
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150
°
C
Power dissipation
T
C
= 25
°
C
Operating junction and storage temperature
Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s
V
CE
I
C
1200
V
A
6.2
2.8
I
Cpuls
-
9.6
9.6
I
F
4.5
2
I
Fpuls
V
GE
t
SC
9
±
20
10
V
μ
s
P
tot
62
W
T
j
,
T
stg
-
-55...+150
260
°
C
1)
Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.
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PDF描述
SKP02N120 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速S-IGBT)
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SKB02N60_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
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