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PMZB420UN,315

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  • PMZB420UN,315
    PMZB420UN,315

    PMZB420UN,315

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 12000

  • NXP

  • XQFN3

  • 13+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存

  • PMZB420UN,315
    PMZB420UN,315

    PMZB420UN,315

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人：丁皓鵬

    電話：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • PHA

  • SOT883

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，價格優(yōu)勢！

  • PMZB420UN,315
    PMZB420UN,315

    PMZB420UN,315

  • 深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司
    深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司

    聯(lián)系人：金

    電話：0755-832599640755-23884416

    地址：中航北苑A座7A5

  • 1351

  • NXP

  • N/A

  • 18+

  • -

  • 進(jìn)口原裝特價出售

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  • 1
PMZB420UN,315 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PMZB420UN/XQFN3/REELP2// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • 30V Single N-channel Trench MOSFET
PMZB420UN,315 技術(shù)參數(shù)
  • PMZB390UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:900mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:41pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），5.43W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:470 毫歐 @ 900mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB380XN,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:930mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.87nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB370UNE,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:900mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.16nC @ 15V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:78pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:490 毫歐 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1） 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB350UPE,315 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:127pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），3.125W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 300mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1） 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB320UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:122pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）, 6.25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:510 毫歐 @ 1A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PN01224AAD PN01262AAD PN01868 PN01922 PN05203 PN05205 PN05206 PN05280 PN05508 PN06480 PN06535 PN06541 PN06542 PN06543 PN06580 PN06586 PN08017 PN08019
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