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PMZB600UNELYL

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PMZB600UNELYL
    PMZB600UNELYL

    PMZB600UNELYL

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • Nexperia

  • N/A

  • 24+

  • -

  • 瑞智芯只做原裝上傳有貨

  • PMZB600UNELYL
    PMZB600UNELYL

    PMZB600UNELYL

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • NA

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • PMZB600UNELYL
    PMZB600UNELYL

    PMZB600UNELYL

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • PMZB600UNELYL
    PMZB600UNELYL

    PMZB600UNELYL

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 200000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT883B

  • -

  • 授權代理/原廠FAE技術支持

  • PMZB600UNELYL
    PMZB600UNELYL

    PMZB600UNELYL

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人：馮

    電話：17841084408

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20

  • 38000

  • Nexpe原裝正品

  • SOT883B

  • 19+

  • -

  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現貨供應商

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
PMZB600UNELYL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • TrenchMOS??
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 600mA（Ta）
  • 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 1.2V，4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 0.7nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）
  • ±8V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 21.3pF @ 10V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 360mW（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 620 毫歐 @ 600mA，4.5V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • 3-DFN1006B（0.6x1）
  • 封裝/外殼
  • 3-XFDFN
  • 標準包裝
  • 1
PMZB600UNELYL 技術參數
  • PMZB550UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:590mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:30.3pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:670 毫歐 @ 590mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PMZB420UN,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:900mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:490 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.98nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:65pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1） 標準包裝:1 PMZB390UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:900mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:41pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），5.43W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:470 毫歐 @ 900mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PMZB380XN,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:930mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.87nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1） 標準包裝:1 PMZB370UNE,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:900mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.16nC @ 15V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:78pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:490 毫歐 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1） 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PN01868 PN01922 PN05203 PN05205 PN05206 PN05280 PN05508 PN06480 PN06535 PN06541 PN06542 PN06543 PN06580 PN06586 PN08017 PN08019 PN08027 PN08029
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