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PHP1N50E

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    PHP1N50E

    PHP1N50E

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • nxp

  • 08+/pb

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • PHP1N50E
    PHP1N50E

    PHP1N50E

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 29615

  • N

  • TO220AB

  • 15+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • PHP1N50E
    PHP1N50E

    PHP1N50E

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 4810

  • 飛利浦

  • TO-220

  • 13+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共11條 
  • 1
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  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱(chēng)
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PowerMOS transistor
PHP1N50E 技術(shù)參數(shù)
  • PHP191NQ06LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:95.6nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7665pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP18NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:110V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:633pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP18NQ10T,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:633pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP00805E97R6BST1 功能描述:RES SMD 97.6 OHM 0.1% 5/8W 0805 制造商:vishay thin film 系列:PHP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電阻（歐姆）:97.6 容差:±0.1% 功率（W）:0.63W，5/8W 成分:薄膜 特性:耐燃，防潮，安全 溫度系數(shù):±25ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:0805（2012 公制） 供應(yīng)商器件封裝:805 大小/尺寸:0.080" 長(zhǎng) x 0.050" 寬（2.03mm x 1.27mm） 高度:0.033"（0.84mm） 端子數(shù):2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHP00805E9761BST1 功能描述:RES SMD 9.76K OHM 0.1% 5/8W 0805 制造商:vishay thin film 系列:PHP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電阻（歐姆）:9.76k 容差:±0.1% 功率（W）:0.63W，5/8W 成分:薄膜 特性:耐燃，防潮，安全 溫度系數(shù):±25ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:0805（2012 公制） 供應(yīng)商器件封裝:805 大小/尺寸:0.080" 長(zhǎng) x 0.050" 寬（2.03mm x 1.27mm） 高度:0.033"（0.84mm） 端子數(shù):2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHP21N06LT,127 PHP21N06T,127 PHP222NQ04LT,127 PHP225,118 PHP225NQ04T,127 PHP23NQ11T,127 PHP27NQ11T,127 PHP28NQ15T,127 PHP29N08T,127 PHP30 PHP3055E,127 PHP30NQ15T,127 PHP32N06LT,127 PHP33NQ20T,127 PHP34NQ11T,127 PHP36N03LT,127 PHP440 PHP45N03LTA,127
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