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PHP1-S12-S5-M-TR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • PHP1-S12-S5-M-TR
    PHP1-S12-S5-M-TR

    PHP1-S12-S5-M-TR

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • CUI Inc.

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • PHP1-S12-S5-M-TR
    PHP1-S12-S5-M-TR

    PHP1-S12-S5-M-TR

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 9888

  • CUI

  • NA

  • 19+

  • -
  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
PHP1-S12-S5-M-TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • DC-DC ISOLATED, 1 W, 12 VDC INPU
  • 制造商
  • cui inc.
  • 系列
  • *
  • 零件狀態(tài)
  • 新產(chǎn)品
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
PHP1-S12-S5-M-TR 技術(shù)參數(shù)
  • PHP191NQ06LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):95.6nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7665pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.7 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP18NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):110V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):21nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):633pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):79W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 9A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP18NQ10T,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):21nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):633pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):79W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 9A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP00805E97R6BST1 功能描述:RES SMD 97.6 OHM 0.1% 5/8W 0805 制造商:vishay thin film 系列:PHP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電阻(歐姆):97.6 容差:±0.1% 功率(W):0.63W,5/8W 成分:薄膜 特性:耐燃,防潮,安全 溫度系數(shù):±25ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:0805(2012 公制) 供應(yīng)商器件封裝:805 大小/尺寸:0.080" 長 x 0.050" 寬(2.03mm x 1.27mm) 高度:0.033"(0.84mm) 端子數(shù):2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHP00805E9761BST1 功能描述:RES SMD 9.76K OHM 0.1% 5/8W 0805 制造商:vishay thin film 系列:PHP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電阻(歐姆):9.76k 容差:±0.1% 功率(W):0.63W,5/8W 成分:薄膜 特性:耐燃,防潮,安全 溫度系數(shù):±25ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:0805(2012 公制) 供應(yīng)商器件封裝:805 大小/尺寸:0.080" 長 x 0.050" 寬(2.03mm x 1.27mm) 高度:0.033"(0.84mm) 端子數(shù):2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHP21N06T,127 PHP222NQ04LT,127 PHP225,118 PHP225NQ04T,127 PHP23NQ11T,127 PHP27NQ11T,127 PHP28NQ15T,127 PHP29N08T,127 PHP30 PHP3055E,127 PHP30NQ15T,127 PHP32N06LT,127 PHP33NQ20T,127 PHP34NQ11T,127 PHP36N03LT,127 PHP440 PHP45N03LTA,127 PHP45NQ10T,127
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