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PDTA115TMB

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  • PDTA115TMB
    PDTA115TMB

    PDTA115TMB

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 300000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT883B

  • -

  • 授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

  • PDTA115TMB,315
    PDTA115TMB,315

    PDTA115TMB,315

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人：丁皓鵬

    電話：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • PHA

  • SOT883

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，價格優(yōu)勢！

  • PDTA115TMB
    PDTA115TMB

    PDTA115TMB

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NXP

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANS PNP W/RES 50V SOT883B
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B, Transistor Polarity
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B, Transistor Polarity
PDTA115TMB 技術(shù)參數(shù)
  • PDTA115TM,315 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTA115 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA115TK,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:100k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA115TE,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:100k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA115EU,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 基本零件編號:PDTA115 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA115ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 基本零件編號:PDTA115 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA123ET,215 PDTA123ETVL PDTA123EU,115 PDTA123JE,115 PDTA123JK,115 PDTA123JM,315 PDTA123JMB,315 PDTA123JQAZ PDTA123JS,126 PDTA123JT,215 PDTA123JTVL PDTA123JU,115 PDTA123TE,115 PDTA123TK,115 PDTA123TM,315 PDTA123TMB,315 PDTA123TT,215 PDTA123TT,235
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