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PDTA115TE,115

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  • 封裝
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  • PDTA115TE,115
    PDTA115TE,115

    PDTA115TE,115

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82813018

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 2300

  • NXP

  • ROHS

  • 13+

  • -
  • 全新原裝正品 歡迎來電0755-8286...

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  • 1
PDTA115TE,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 配置
  • 晶體管極性
  • NPN/PNP
  • 典型輸入電阻器
  • 典型電阻器比率
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 200 mA
  • 最大工作頻率
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 50 V
  • 集電極連續(xù)電流
  • 150 mA
  • 峰值直流集電極電流
  • 功率耗散
  • 200 mW
  • 最大工作溫度
  • 封裝
  • Reel
PDTA115TE,115 技術(shù)參數(shù)
  • PDTA115EU,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):100 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):100 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323-3 基本零件編號:PDTA115 標準包裝:1 PDTA115ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):100 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):100 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 基本零件編號:PDTA115 標準包裝:1 PDTA115EM,315 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):100 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):100 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTA115 標準包裝:1 PDTA115EK,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):100k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):100k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 PDTA115EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):100k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):100k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTA123EMB,315 PDTA123ES,126 PDTA123ET,215 PDTA123ETVL PDTA123EU,115 PDTA123JE,115 PDTA123JK,115 PDTA123JM,315 PDTA123JMB,315 PDTA123JQAZ PDTA123JS,126 PDTA123JT,215 PDTA123JTVL PDTA123JU,115 PDTA123TE,115 PDTA123TK,115 PDTA123TM,315 PDTA123TMB,315
配單專家

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