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BSS84/DG
優(yōu)勢
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
3000
NXP/恩智浦
SOT23
22+
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授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特...

BSS84/DG
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯(lián)系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
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SOT-23
22+
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全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

BSS84/DG
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
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最新批號
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一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

BSS84/DG
深圳市硅宇電子有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
30720
NXP
SOT23
09+
-
原裝現(xiàn)貨/特價

BSS84/DG
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
638850
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OEM渠道，價格超越代理！

BSS84/DG+215
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
20
NXP
13+
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原裝正品，現(xiàn)貨庫存

BSS84/DG
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯(lián)系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
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sot-23
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原裝現(xiàn)貨

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制造商
PHILIPS
制造商全稱
NXP Semiconductors
功能描述
P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor

BSS84/DG 技術(shù)參數(shù)

BSS84,215 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:130mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:45pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250mW（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 130mA，10V 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS84 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.3nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:73pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSS83PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS83PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.57nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:78pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS83PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115 BSS84AKS/ZLX BSS84AKT,115 BSS84AKV,115 BSS84AKVL BSS84AKW,115 BSS84AKW-BX BSS84DW-7 BSS84DW-7-F BSS84LT1 BSS84LT1G BSS84P E6433 BSS84P H6327 BSS84P-E6327 BSS84PH6327XTSA1 BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6433XTMA1

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