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BSS8402DWQ-7

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSS8402DWQ-7
    BSS8402DWQ-7

    BSS8402DWQ-7

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • DIODES/美臺

  • NA

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • BSS8402DWQ-7
    BSS8402DWQ-7

    BSS8402DWQ-7

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號.原裝特價現貨！

  • BSS8402DWQ-7
    BSS8402DWQ-7

    BSS8402DWQ-7

  • 深圳市澤芯微科技有限公司
    深圳市澤芯微科技有限公司

    聯系人：柯小姐

    電話：0755-8273028382732023

    地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室

  • 2000

  • diodes

  • sot363

  • 14+

  • -

  • 進口原裝現貨，一定自己庫存

  • BSS8402DWQ-7
    BSS8402DWQ-7

    BSS8402DWQ-7

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 3000

  • DIODES INC.

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
BSS8402DWQ-7 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N/P-CH 60V/50V
  • 制造商
  • diodes incorporated
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • N 和 P 溝道
  • FET 功能
  • 邏輯電平門
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 60V，50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 115mA，130mA
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 13.5 歐姆 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • -
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 50pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 200mW
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供應商器件封裝
  • SOT-363
  • 標準包裝
  • 3,000
BSS8402DWQ-7 技術參數
  • BSS8402DW-7-F 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V，50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA，130mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 BSS8402DW-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V，50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA，130mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 BSS84_D87Z 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:130mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.3nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:73pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 BSS84,215 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:130mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:45pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250mW（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 130mA，10V 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS84 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:130mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.3nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:73pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSS84AKV,115 BSS84AKVL BSS84AKW,115 BSS84AKW-BX BSS84DW-7 BSS84DW-7-F BSS84LT1 BSS84LT1G BSS84P E6433 BSS84P H6327 BSS84P-E6327 BSS84PH6327XTSA1 BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6433XTMA1 BSS84PL6327HTSA1 BSS84PL6433HTMA1 BSS84PW BSS84PW L6327
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