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BSS83215

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • BSS83215
    BSS83215

    BSS83215

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • NXP

  • SOT143

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • BSS83215
    BSS83215

    BSS83215

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • PHL

  • NULL

  • 09/10+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
BSS83215 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • RF SWITCHING MOSFET N CH 10V 50MA 4-
BSS83215 技術(shù)參數(shù)
  • BSS83,235 功能描述:RF Mosfet N-Channel SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:N 通道 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:50mA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSS83,215 功能描述:MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:N 通道 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:50mA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS816NWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:0.75V @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 2.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:180pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，2.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS816NW L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:180pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS806NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:529pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS8402DWQ-7 BSS84-7 BSS84-7-F BSS84AK,215 BSS84AK-BR BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115 BSS84AKS/ZLX BSS84AKT,115 BSS84AKV,115 BSS84AKVL BSS84AKW,115 BSS84AKW-BX BSS84DW-7 BSS84DW-7-F BSS84LT1 BSS84LT1G
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