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BLF6G10-160RN

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    BLF6G10-160RN

    BLF6G10-160RN

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • NXP

  • 原廠原封裝

  • 10+

  • -

  • 原裝現貨優(yōu)勢庫存

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  • 1
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  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Power LDMOS transistor
BLF6G10-160RN 技術參數
  • BLF6G10-135RN,112 功能描述:TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:LDMOS 頻率:871.5MHz ~ 891.5MHz 增益:21dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:32A 噪聲系數:- 電流 - 測試:950mA 功率 - 輸出:26.5W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502A 供應商器件封裝:LDMOST 標準包裝:20 BLF647PSJ 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 100mA 1.3GHz 17.5dB 200W CDFM4 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:1.3GHz 增益:17.5dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:200W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1121B 供應商器件封裝:CDFM4 標準包裝:100 BLF647PS,112 功能描述:FET RF 2CH 65V 1.3GHZ ACC4L 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:1.3GHz 增益:17.5dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:200W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1121B 供應商器件封裝:CDFM4 標準包裝:20 BLF647P,112 功能描述:FET RF 2CH 65V 1.3GHZ CDFM4 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:1.3GHz 增益:18dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:200W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1121A 供應商器件封裝:CDFM4 標準包裝:20 BLF647,112 功能描述:TRANSISTOR RF DMOS SOT540A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:600MHz 增益:14.5dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:18A 噪聲系數:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:120W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-540A 供應商器件封裝:LDMOST 標準包裝:20 BLF6G10L-40BRN,118 BLF6G10LS-135R,112 BLF6G10LS-135R,118 BLF6G10LS-135RN,11 BLF6G10LS-135RN:11 BLF6G10LS-160,112 BLF6G10LS-160,118 BLF6G10LS-160RN,11 BLF6G10LS-160RN:11 BLF6G10LS-200,112 BLF6G10LS-200,118 BLF6G10LS-200R,112 BLF6G10LS-200R,118 BLF6G10LS-200RN,11 BLF6G10LS-200RN:11 BLF6G10LS-260PRN,1 BLF6G10LS-260PRN:1 BLF6G10S-45,112
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