BLF6G10-135RN,112

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BLF6G10-135RN,112
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
36200
NXP
18+
-
原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢供應

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功能描述
射頻MOSFET電源晶體管 Trans MOSFET N-CH 65V 32A 3-Pin
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶體管極性
頻率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
輸出功率
100 W
汲極/源極擊穿電壓
漏極連續(xù)電流
閘/源擊穿電壓
最大工作溫度
封裝 / 箱體
NI-780-4
封裝
Tray

BLF6G10-135RN,112 技術參數(shù)

BLF647PSJ 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 100mA 1.3GHz 17.5dB 200W CDFM4 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS（雙），共源頻率:1.3GHz 增益:17.5dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:200W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1121B 供應商器件封裝:CDFM4 標準包裝:100 BLF647PS,112 功能描述:FET RF 2CH 65V 1.3GHZ ACC4L 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS（雙），共源頻率:1.3GHz 增益:17.5dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:200W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1121B 供應商器件封裝:CDFM4 標準包裝:20 BLF647P,112 功能描述:FET RF 2CH 65V 1.3GHZ CDFM4 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS（雙），共源頻率:1.3GHz 增益:18dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:200W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1121A 供應商器件封裝:CDFM4 標準包裝:20 BLF647,112 功能描述:TRANSISTOR RF DMOS SOT540A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):過期晶體管類型:LDMOS（雙），共源頻率:600MHz 增益:14.5dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:18A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:120W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-540A 供應商器件封裝:LDMOST 標準包裝:20 BLF645,112 功能描述:TRANSISTOR PWR LDMOS SOT540A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS（雙），共源頻率:1.3GHz 增益:16.5dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:32A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:900mA 功率 - 輸出:100W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-540A 供應商器件封裝:LDMOST 標準包裝:20 BLF6G10L-40BRN,118 BLF6G10LS-135R,112 BLF6G10LS-135R,118 BLF6G10LS-135RN,11 BLF6G10LS-135RN:11 BLF6G10LS-160,112 BLF6G10LS-160,118 BLF6G10LS-160RN,11 BLF6G10LS-160RN:11 BLF6G10LS-200,112 BLF6G10LS-200,118 BLF6G10LS-200R,112 BLF6G10LS-200R,118 BLF6G10LS-200RN,11 BLF6G10LS-200RN:11 BLF6G10LS-260PRN,1 BLF6G10LS-260PRN:1 BLF6G10S-45,112