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BLF6G10-135RN

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  • BLF6G10-135RN
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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 5000

  • NXP

  • 原廠原封裝

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NXP

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

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  • BLF6G10-135RN
    BLF6G10-135RN

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 2000

  • NXP

  • SOT502A

  • 07+

  • -

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  • BLF6G10-135RN
    BLF6G10-135RN

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 2000

  • NXP

  • SOT502A

  • 07+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • BLF6G10-135RN
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • NXP

  • SOT502A

  • 07+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

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  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Power LDMOS transistor
BLF6G10-135RN 技術(shù)參數(shù)
  • BLF647PSJ 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 100mA 1.3GHz 17.5dB 200W CDFM4 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:1.3GHz 增益:17.5dB 電壓 - 測(cè)試:32V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:100mA 功率 - 輸出:200W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1121B 供應(yīng)商器件封裝:CDFM4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BLF647PS,112 功能描述:FET RF 2CH 65V 1.3GHZ ACC4L 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:1.3GHz 增益:17.5dB 電壓 - 測(cè)試:32V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:100mA 功率 - 輸出:200W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1121B 供應(yīng)商器件封裝:CDFM4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 BLF647P,112 功能描述:FET RF 2CH 65V 1.3GHZ CDFM4 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:1.3GHz 增益:18dB 電壓 - 測(cè)試:32V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:100mA 功率 - 輸出:200W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1121A 供應(yīng)商器件封裝:CDFM4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 BLF647,112 功能描述:TRANSISTOR RF DMOS SOT540A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:600MHz 增益:14.5dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:18A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:120W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-540A 供應(yīng)商器件封裝:LDMOST 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 BLF645,112 功能描述:TRANSISTOR PWR LDMOS SOT540A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:1.3GHz 增益:16.5dB 電壓 - 測(cè)試:32V 額定電流:32A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:900mA 功率 - 輸出:100W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-540A 供應(yīng)商器件封裝:LDMOST 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 BLF6G10L-40BRN,112 BLF6G10L-40BRN,118 BLF6G10LS-135R,112 BLF6G10LS-135R,118 BLF6G10LS-135RN,11 BLF6G10LS-135RN:11 BLF6G10LS-160,112 BLF6G10LS-160,118 BLF6G10LS-160RN,11 BLF6G10LS-160RN:11 BLF6G10LS-200,112 BLF6G10LS-200,118 BLF6G10LS-200R,112 BLF6G10LS-200R,118 BLF6G10LS-200RN,11 BLF6G10LS-200RN:11 BLF6G10LS-260PRN,1 BLF6G10LS-260PRN:1
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