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APT65GP60L2DQ2GMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話(huà)：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
TO-264
11+
-
100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

APT65GP60L2DQ2G
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話(huà)：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
APT
TO-247
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

APT65GP60L2DQ2G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話(huà)：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-264-3
23+
-
微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

APT65GP60L2DQ2G
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話(huà)：83617149
地址：新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
39
MICROSEMI
2014+
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

APT65GP60L2DQ2G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
APT
264MAX
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！

APT65GP60L2DQ2G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨電話(huà)010-62104...

APT65GP60L2DQ2
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3000
APT
金封螺絲型
06+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

APT65GP60L2DQ2
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3000
APT
金封螺絲型
06+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

APT65GP60L2DQ2
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3000
APT
金封螺絲型
06+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

APT65GP60L2DQ2G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話(huà)：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
265
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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制造商
ADPOW
制造商全稱(chēng)
Advanced Power Technology
功能描述
POWER MOS 7 IGBT

APT65GP60L2DQ2 技術(shù)參數(shù)

APT65GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:431W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，65A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:7.4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT65GP60B2G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):250A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，65A 功率 - 最大值:833W 開(kāi)關(guān)能量:605μJ（開(kāi)），896μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:30ns/91ns 測(cè)試條件:400V，65A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT64GA90LD30 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):193A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.1V @ 15V，38A 功率 - 最大值:500W 開(kāi)關(guān)能量:1192μJ（開(kāi)），1088μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:162nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:18ns/131ns 測(cè)試條件:600V，38A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT64GA90B2D30 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):193A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.1V @ 15V，38A 功率 - 最大值:500W 開(kāi)關(guān)能量:1192μJ（開(kāi)），1088μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:162nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:18ns/131ns 測(cè)試條件:600V，38A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT64GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):193A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.1V @ 15V，38A 功率 - 最大值:500W 開(kāi)關(guān)能量:1857μJ（開(kāi)），2311μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:162nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:18ns/131ns 測(cè)試條件:600V，38A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B APT70GR65B2DU40 APT70GR65B2SCD30 APT70SM70B APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L

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