參數(shù)資料
型號： SIR-56ST3F
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Infrared Light Emitting Diode,Top View Type(紅外光發(fā)射二極管)
中文描述： 紅外發(fā)光二極管，頂視圖類型（紅外光發(fā)射二極管）
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 53K
代理商： SIR-56ST3F
External dimension (Units: mm)
176
Sensors
Infrared light emitting diode,
top view type
SIR-56ST3F
The SIR-56ST3F is a GaAs infrared light emitting diode housed in clear plastic. This device has a high luminous efficien-
cy and a 950 nm spectrum suitable for silicon detectors. Low cost make it an ideal light source for household remote
control devices.
Applications
Optical control equipment
Light source for remote control devices
Features
1) High efficiency, high output P
O
= 8.0 mW (I
F
= 50 mA).
2) Emission spectrum well suited to silicon detectors.
3) Good current-optical output linearity.
4) Long life, high reliability.
5) Low cost, clear epoxy resin package.
Absolute maximum ratings (Ta = 25 C)
相關PDF資料
PDF描述
SIR-56ST3 Infrared light emitting diode, top view type
SIS23C128 CMOS MASK ROM
SIS23C128A CMOS MASK ROM
SIS23C128A-15 CMOS MASK ROM
SIS23C128A-20 CMOS MASK ROM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SIR-56ST3F_07 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Infrared light emitting diode, top view type
SIR-56ST3FF 功能描述:EMITTER IR 950NM 5MM RoHS:是 類別:光電元件 >> 紅外發(fā)射極 系列:- 標準包裝:1,200 系列:- 電流 - DC 正向(If):100mA 輻射強度(le)最小值@正向電流:27mW/sr @ 100mA 波長:940nm 正向電壓:1.6V 視角:40° 方向:頂視圖 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 包裝:帶卷 (TR)
SIR640ADP-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH POWERPAK SO-8 BWL SPLIT GATE 40V 1.7MOHM@10V - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V SO-8 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Ch PowerPAK SO-8 BWL split gate 40V 1.7mohm@10V
SIR640DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
SIR640DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 1.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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